主にAndroidスマホに使用されているUFSストレージ（ユニバーサル・フラッシュ・ストレージ）。
現在の最新規格はUFS 4.1となっており、2025年3月頃に市場に登場しました。2022年後半に登場したUFS 4.0 の2年ぶりの更新です。
UFS 4.0 の読み込み速度・書き込み速度は3000MB/s以上に向上しており、NVMe SSDにより近づいたフラッシュメモリです。そこからさらにバージョンが更新されており、その速さが気になるところです。
というわけで、この2つで一体どれだけ差が出るのか検証して見ました。
いざ検証へ
▼検証用デバイス
- Xiaomi POCO F7 256GB（UFS4.1）
- motorola edge 60 pro 256GB（UFS 4.0）
いずれも検証時期（2025年7月）において発売したてホヤホヤの最新のデバイスです。
▼検証に使うソフトは定番のAnTuTu Storage Test v10.5です。
左：POCO F7、左：motorola edge 60 pro
| 規格 | UFS 4.1 | UFS 4.0 |
|---|---|---|
| Sequence Read | 4230.0 MB/s | 4172.7 MB/s |
| Sequence Write | 3702.7 MB/s | 3208.3 MB/s |
| Random Access Read | 1400.0 MB/s | 1776.0 MB/s |
| Random Access Write | 1624.0 MB/s | 1200.0 MB/s |
全体的にUFS 4.1のほうが向上しているのがわかります。
特に注目してもらいたいのがRandom Access におけるWrite Speedです。ランダムアクセスはOSやアプリの起動に直結するため最重要事項です。ここのスコアがUFS4.0よりも大幅に向上しています。またシーケンシャルライト(ファイルコピーなどに使う)も向上していました。
UFS 4.1の違いとは
結局UFS 4.1はどれだけ凄いの？って話ですが、先日、半導体メーカーのキオクシアからUFS4.1が出荷されましたが、その際に更新されたHPに興味深い記述がありました。
より高速なパフォーマンス
UFS 4.0/4.1製品では、シーケンシャルリードおよびライト性能は当社UFS3.1製品*と比べてそれぞれ約100%、約135%/150%向上しています。
引用：https://www.kioxia.com/ja-jp/business/memory/mlc-nand/ufs4.html
つまり UFS4.0→UFS4.1 でシーケンシャルの書き込み速度が10%以上も向上していることになります。
実際にシーケンシャルライトは10%以上向上しており、そのような結果が確認できています。今回の検証ではランダムアクセスにおいても書き込み速度が10%以上向上していました。
(あくまでもキオクシア半導体での比較です)
終わり
書き込み速度が大幅に向上したUFS4.1ストレージ。アプリやOSの更新作業においても、体感でもある程度実感できそうです。
ハイエンドスマホを選ぶ際には、ストレージがUFS4.1かどうかを基準に見ると良さそうです。
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